闪迪推动HBF技术开发：新专利将计算芯片与NAND闪存堆叠，并与HBM共封装
闪迪推动HBF技术开发，新专利将计算芯片直接堆叠于NAND闪存上方，并与HBM共封装于同一中介层。该设计旨在突破容量瓶颈，使HBM承担高速内存操作，NAND闪存负责数据存储，实现分工协同。
今年2月，SK海力士和闪迪联手搞了个大事——HBF规格标准化联盟启动会，正式对外发布了面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。说到底，闪迪在这件事上比SK海力士要积极得多。先说结论：SK海力士手里有HBM这颗“摇钱树”，客户抢着要，利润高得吓人；而闪迪想切进AI市场，必须靠HBF来找到自己的生态位。一句话，市场逻辑决定了各自的用力方向。
根据TrendForce的分析，闪迪正在全力推动下一代HBF技术的工程化落地，核心目标是破解容量天花板这个结构瓶颈，从而塞进更多的存储单元。具体怎么搞？闪迪早前申请的一份专利透露了路线图：把计算芯片直接堆叠在NAND闪存上方，同时在同一个中介层上还能再放HBM芯片——这些芯片包围在计算芯片和NAND闪存周边，最终统统封在一起。
HBM的局限性与HBF的破局思路
闪迪之所以这么干，说到底还是被HBM的“老毛病”逼的。HBM的容量限制不是一天两天了，而且HBF虽然已经在追赶，但面临的问题也不少——延迟、能效、系统层集成的复杂性，个个都是硬骨头。为了撕开口子，闪迪和SK海力士祭出了HBF，设计理念和HBM很相似：把多层NAND闪存垂直堆叠起来，通过硅通孔（TSV）连通，形成一个统一的内存堆栈。
这次闪迪提出的是一个3D堆叠的新设计：把基于CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术打造的NAND闪存模块，直接安在GPU这类计算芯片的下方。有意思的地方在于，在这种配置下，HBM仍然保留在同一个中介层上，在整体的内存-计算层级里扮演一个相对独立的角色。从架构上看，这样的分工会更清晰——HBM负责打即时的高速内存操作，而NAND闪存层则用来扛读写密集型工作负载和超大规模的数据存储。两路分兵，各司其职，才是关键。
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