SK海力士2026H2重启大连二厂扩建工程，未来将生产238层NAND闪存芯片
SK海力士规划在2026年下半年重启大连二厂扩建，旨在生产先进的238层NAND闪存，月产能目标设定为3万至5万片晶圆，整个建设周期预计持续至2027年上半年。与此同时，大连一厂将转产192层NAND。此外，该公司在韩国本土也计划新建生产线，并且无锡工厂的DRAM产能也在逐步提升。
说说最近NAND闪存市场的动向。随着需求激增，制造商们终于从短暂的停滞中缓过神来，开始重新拾起扩产计划。SK海力士这边，已经宣布砸下约500亿美元，在韩国本土兴建全新的NAND闪存生产线。与此同时，其在中国的工厂建设项目也在同步推进，动作不小。
据TrendForce的消息，SK海力士打算在2026年下半年重启大连二厂的扩建工程。届时会先安装生产设备，然后分阶段完成设施建设，整个过程预计持续到2027年上半年。实际上，SK海力士的合作伙伴已经开始把韩国闲置的设备往大连运，海外的供应商也收到了设备交付的初步采购订单。可以说，准备工作已经悄悄启动了。
当然，这背后离不开美国政策的限制，再加上NAND闪存行情长期低迷，SK海力士之前不得不暂停大连二厂的扩建。现在重启后，大连二厂将能生产238层NAND闪存，月产能目标定在3万到5万片晶圆之间。与此同时，大连一厂也会切换生产线，更换老旧设备，转而生产192层NAND闪存。虽然SK海力士在韩国大张旗鼓地投资，但报告显示，大连二厂才是其扩建速度最快的NAND闪存生产基地。
此外，除了NAND闪存，SK海力士近期也在扩建其在中国的DRAM生产设施，无锡工厂的产能正在逐步提升。
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