三星加速冲刺1000层NAND闪存：采用CMB混合键合技术，将两个450层模块堆叠为900层

三星率先量产3D NAND的故事，得从2013年说起。那一年，它们推出了首款V-NAND，一举领先同行。从24层起步，一路走到如今第9代产品量产时的290层，积累的经验可以说相当深厚。现在AI浪潮汹涌，市场不仅需要HBM这类高带宽存储器，对更高层数的NAND闪存需求也在同步攀升。此前有消息称，到2030年，三星要把V-NAND的层数推高到1000层。 据TECHPOWERUP报道，三星正稳步朝着这个目标前进，但制造复杂性摆在那里，单靠一颗芯片已经不可能了。因此，三星转而押注先进封装方案——CMB（Cell Multi-Bonding）技术，这是一种通过混合键合实现的晶圆堆叠变体。具体做法是把两个450层的V-NAND模块堆叠成一个NAND闪存，总层数直接拉到了900层。原型样品已经通过了验证。 去年，三星在ISSCC 2025上展示了第10代V-NAND闪存，总层数超过400层。这一代不仅刷新了有源层数记录，性能也有突破性提升，最关键的是首次把COP（Cell-on-Periphery）结构与混合键合技术结合在了一起。换句话说，新产品的主要目标除了创纪录的有源层数之外，重点就在于COP结构和混合键合的融合。 目前量产NAND闪存最高层数的保持者是SK海力士，凭借的是321层4D NAND设计。三星计划实现第10代V-NAND闪存的量产，不过还需要几个季度的时间。据了解，三星的目标是在2027年推出第11代V-NAND技术，届时数据传输速度将提高50%。