铠侠与闪迪发布第十代332层QLC NAND闪存
作者:QuietDream
时间:2026-08-12
浏览:4
铠侠与闪迪联合发布第十代332层QLCNAND闪存,位密度达37Gb/mm²,较上代提升60%。采用自研CMOS直接键合阵列技术,接口速率4.8Gb/s,为业界首款,显著提升存储性能与能效,适用于AI与数据中心。
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铠侠与闪迪的QLC闪存技术迭代,终于有了实质性的进展。
先说几个关键点:这次双方联合推出的,是第十代QLC 3D闪存技术,相比第八代,位密度提升了整整60%,达到了超37Gb/mm²。这个数字,意味着在同样面积的晶圆上,能塞进更多的存储单元,直接拉高容量天花板。
关键突破在于采用了双方自研的CMOS直接键合阵列(CBA)技术。简单来说,就是把CMOS逻辑电路和存储阵列分开,在不同的晶圆上制造,最后通过高精度晶圆对晶圆键合技术“粘”在一起。这种设计的好处是,能各自优化工艺,互不干扰,这才是最值得关注的地方。

读写带宽也同步升级,成为业界首款接口速率达到4.8Gb/s的QLC 3D NAND闪存技术。这个速度,对高密度存储场景下的读写效率提升非常关键。
另外,技术参数上还有一个重点:第十代产品采用了332层NAND堆叠技术,配合Toggle DDR6.0和独立命令地址协议(SCA),才最终实现了60%的位密度提升。堆叠层数、接口协议、架构设计,三者缺一不可。
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