美股盘前存储板块走强!SK海力士联合闪迪发布HBF开放标准
8月4日美股盘前存储板块走强,SK海力士联合闪迪发布高带宽闪存(HBF)首套标准,支持16层堆叠、单颗容量512GB,免费开放以抢占下一代存储标准制高点。当前DRAM供不应求将延续至2027年,但HBM4e验证进度存在不确定性。
8月4日,美股盘前存储板块集体走强,这不是单独一家的涨跌,而是一场蓄势待发的多头攻势。美光科技盘前上涨3.68%,SK海力士涨3.00%,闪迪涨4.05%,西部数据涨2.92%,希捷科技也涨了2.44%。从这份名单就能看出,整个存储产业链都在发力。
消息面上,当天韩国KOSPI指数收涨1.62%,报6358.95点。个股方面,SK海力士微涨0.64%,三星电子微涨0.21%。但有意思的是盘中走势——三星和SK海力士都曾一度跌超4%,随后又双双转涨,韩国创业板指期货更是触发熔断机制,一度飙升超过6%。这种剧烈震荡背后,显然有资金在博弈预期。
真正引爆行业情绪的,还是SK海力士联合闪迪发布了高带宽闪存(HBF)的首套标准规范。这套标准支持最高16层堆叠,单颗容量可达512GB。要知道,今年2月双方才牵头成立HBF规格标准化联盟,仅仅6个月就完成了标准制定,效率相当惊人。整套规范依托全球最大的开放数据中心技术合作组织OCP(开放计算项目)对外公开,而且免费向全行业开放——这步棋,摆明了是要抢占下一代存储标准的制高点。
从TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究来看,当前DRAM供不应求的格局将延续到2027年,这给整个行业奠定了长期向好的基调。但变数在于,原厂HBM4e的验证进度存在不确定性。自2026年第三季度起,英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已经从HBM4e 12hi,改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等多种设计,目前尚未定案。不只英伟达,部分云端服务供应商也在考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。这种调整,本质上是在供需博弈与技术成熟度之间寻找平衡点。










































