消息称三星电子展示全球首款5nm MRAM研发成果，2027年量产
三星电子在2026年IEEEVLSI研讨会展示全球首款5nmMRAM，具备非易失性、宽温工作范围，达AEC-Q100车规标准，计划2027年量产。此前已展示8nm版本并完成边缘AI芯片流片。
最近在2026年度IEEE VLSI研讨会上，三星电子亮出了全球首款5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。这个消息来自韩国媒体SEDaily，在半导体存储领域引起了不小的关注。
▲ MRAM 结构示意
比起我们熟悉的DRAM，MRAM一个最大的特点就是它的非易失性。简单说，就是断电后数据不会丢失，不像DRAM那样需要不停地刷新才能保住数据。就冲这一点，它在能效上的优势就已经很清楚了。
三星这款5nm MRAM厉害在哪儿？首先，它的工作温度范围非常宽，从零下40度到零上150度都能稳定工作，已经达到了AEC-Q100这个车规级标准的要求。这意味着它完全有资格被用在汽车这样的严苛环境里。此外，三星方面也在稳步推进量产计划，目标是在2027年实现量产。
有意思的是，三星今年早些时候已经在另一场学术会议上展示过8nm的MRAM。基于这个8nm版本制作的边缘AI芯片，今年5月也已经完成流片了。从8nm到5nm，这条技术路线的推进速度，确实值得关注。
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