韩国海关：过去 1 个月 DRAM 内存单价同比涨 497.4%；NAND 同比涨 351.6%
韩国海关数据显示，2026年5月DRAM颗粒单价同比暴涨497.4%，NAND闪存同比涨351.6%。上游核心颗粒价格因AI等领域需求强劲而持续冲高，但下游消费级DRAM模组价格却环比下降，消费级NAND现货价格亦出现下跌，市场呈现明显分化趋势。
存储市场的风向，最近又变了。根据韩国海关最新发布的进出口数据，DRAM内存和NAND闪存的颗粒价格，在2026年5月继续冲高，而且势头相当猛烈。
具体来看，过去一个月（截至5月10日），DRAM颗粒（不含模组）的单价达到了每公斤89,498美元。这个数字意味着什么？环比上涨20.9%已经足够惊人，但同比涨幅更是高达497.4%，几乎翻了五倍。
闪存这边也不遑多让。同期NAND闪存的单价为每公斤67,307美元，环比大涨63.1%，是各项数据中月度涨幅最高的一项，同比涨幅也达到了351.6%。这种上游原材料价格的剧烈波动，通常会先影响到存储原厂和渠道供应，然后才会逐步传导到我们最终购买的终端产品上。
备受关注的HBM（高带宽内存）所在的MCP（多芯片封装）品类，价格同样在上涨，单价为每公斤78,752美元，环比涨18.7%，同比涨165.5%。将内存整体视为一个品类，其单价为每公斤82,680美元，环比上涨28.8%，同比涨幅为326.3%。
不过，市场并非铁板一块。一个有趣的现象是，DRAM模组（即我们通常购买的内存条产品）的单价为每公斤29,882美元，环比反而下滑了13.9%，尽管同比仍保持着351.2%的显著增长。这些模组涵盖了DDR5的UDIMM、SODIMM、RDIMM，以及标准DDR和LPDDR产品。
为了更清晰地对比，我们可以看看下面这张汇总表：
| 分类 | 单价 (美元/公斤) | 同比涨幅 | 环比涨幅 |
|---|---|---|---|
| 内存 (整体) | 82,680 | +326.3% | +28.8% |
| DRAM (颗粒) | 89,498 | +497.4% | +20.9% |
| 闪存 (NAND) | 67,307 | +351.6% | +63.1% |
| MCP (含HBM) | 78,752 | +165.5% | +18.7% |
| DRAM 模组 | 29,882 | +351.2% | -13.9% |
这组数据清晰地揭示了一个市场分化的趋势：上游核心颗粒的价格和下游终端模组的价格，并不同步。背后的逻辑其实不难理解。对于服务器、AI训练和数据中心这些“吞金兽”来说，HBM、高规格DRAM以及企业级NAND的需求依然强劲，利润也更高。因此，存储原厂自然更愿意将产能向这些高附加值产品倾斜。
事实上，三星、SK海力士、美光、铠侠等主要厂商，都在将资源重心转向AI相关的存储产品。这种战略调整，必然会进一步挤压通用消费级存储芯片的供需平衡。
然而，消费级市场却呈现出另一番景象。根据市场分析机构TrendForce的洞察，面向消费者的NAND闪存现货价格近期不升反降，基于TLC颗粒的SSD价格跌幅甚至达到了30%至40%。究其原因，是PC市场增长放缓，消费者因整机价格高企而减少了新设备购买，导致通用型消费级SSD出现了库存积压。
这种“上游火热、下游分化”的格局，正是当前存储行业复杂性的真实写照。
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