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3万亿长鑫,「第四把椅子」能坐多久?DRAM价格是否会下降?

长鑫科技登陆科创板,首日市值超3万亿元,成为A股市值第一。2026年一季度归母净利润达247.62亿元,接近弥补历史亏损的三分之二。扩产有望增加通用DRAM供给,但短期内难以压降全球内存价格;HBM领域仍难撼动三巨头地位。在三星、SK海力士和美光主导的牌桌上,长鑫能否坐稳需经完整周期验证。

7月27日,长鑫科技正式登陆科创板。发行价8.66元,收盘站上49元,首日涨幅达到了465.82%——一个足够让市场记住的数字。按收盘价计算,公司总市值约3.28万亿元,直接超过工商银&行,成为当日A股市值第一。全天成交额约1411.87亿元,刷新了A股个股单日成交纪录。[1]

但真正让市场侧目的,还不是涨幅,而是利润数据。2026年一季度,长鑫实现营业收入508.00亿元,净利润330.12亿元,其中归属于母公司股东的净利润为247.62亿元。而截至2025年末,公司累计未弥补亏损还有366.50亿元。换句话说,一个季度的归母净利润,就已经相当于这个窟窿的约三分之二。公司预计2026年上半年归母净利润为500亿至570亿元。[2]

不过,3万亿元市值真正值得讨论的,不是“涨了多少”,而是两个更深层的问题:长鑫的扩产,会不会缓解通用DRAM的紧缺?以及,在三星、SK海力士和美光主导了十余年的牌桌上,这个第四名,能不能真正坐稳?

图:袁振绘制

两套打法

要理解长鑫的位置,先得看清中美两国在存储芯片上截然不同、但又彼此交叉的产业路径。

美国走的是“研发壁垒+制造回流”

美光科技是这条路最典型的代表。

2021年,美光提出未来十年在全球制造和研发领域投入1500亿美元以上;2022年《芯片与科学法案》通过后,又宣布在本十年内投资400亿美元建设美国本土先进存储制造能力。[3] 到了2025年,美光把美国制造与研发投资计划扩大到约2000亿美元。[4] 2026年7月,公司进一步宣布,到2035年,美国晶圆厂及技术投资预计超过2500亿美元,并称这些投资将支撑其长期在美国生产40% DRAM的目标。[5]

纽约州克莱的第一罐混凝土已于7月完成浇筑,比原计划提前了一个多季度。爱达荷州两座工厂的首批晶圆,预计分别在2027年年中和2028年年底产出。美国政府此前向美光在爱达荷州和纽约州的项目提供了约61亿美元的《芯片与科学法案》直接拨款。[5][6]

美国商务部长卢特尼克在克莱的活动上说得直白:“特朗普总统已经明确,美国是做生意的地方,全世界正在迅速响应。”[5]

这条路径的核心,是用财政补贴、税收抵免和长期订单,把先进制造拉回美国,同时依靠制程、设备、材料、先进封装、客户验证和知识产权,构筑起一道综合壁垒。美光2025年宣布累计获得第6万件专利,覆盖了公司历史上全部技术领域。[7]

中国走的是“吸收技术遗产+长期资本投入”

长鑫的早期DRAM技术积累,与奇梦达有关。但交易链条需要分开来看。

2015年,WiLAN旗下的Polaris以约3000万欧元,从英飞凌收购了约7000项奇梦达专利和专利申请;2019年,长鑫与Polaris签署了涉及部分奇梦达DRAM专利的许可协议和独立专利收购协议。[8][9]

奇梦达在2008年前后率先推进埋入式字线(BWL)架构,但在2009年申请破产。BWL此后成了主流DRAM工艺架构的重要方向之一。

2016年,合肥启动“506”项目。原始方案中,首期总投资约180亿元,合肥方面出资约144亿元,占八成。此后,地方国资和产业资本持续为项目扩产和研发提供长期资金支持——这个事实本身就说明了资本耐力。[2]

两条路径各有逻辑。美国的优势在技术前沿、设备生态和客户体系;中国的优势在市场纵深、工程化能力和资本耐力。但双方都有现实约束:美光新增美国工厂最早要到2027年才开始产出,短期供给弹性仍有限;长鑫则受先进设备获取、工艺代际、先进封装和客户验证等因素制约。

长鑫扩产会压住内存价格吗?

这是市场真正关心的问题。更准确的答案或许是:长鑫扩产有望改善中期供给和客户选择,但目前还不能断言它一定会压住全球内存价格。结论,取决于产品类型、扩产速度、良率和AI需求增长。

先看通用DRAM,长鑫的主战场

2026年一季度,传统DRAM合约价环比上涨了93%到98%,这是TrendForce在季度结束后给出的实际数据。[10] 对二季度,TrendForce在3月31日预计传统DRAM合约价将再上涨58%至63%。[11]

图:袁振绘制

DDR5现货价格也曾出现极端上涨。市场常引用的“上涨627%”,对应的是DDR5 16Gb颗粒从约4.68美元涨到34.08美元的特定区间。

涨价背后是结构性的供给重新分配。三巨头持续把更多先进晶圆投入HBM和服务器内存。TrendForce预计,三巨头HBM晶圆投入占全部DRAM晶圆投入的比例,将从2025年末约18%升至2026年末约22%、2027年末约30%。这足以对通用DRAM形成挤出效应。[12]

缺口给长鑫留下了空间。不同机构对它的产能估算并不一致:市场普遍估计,长鑫2025年末月产能约30万片,2026年末可能提升至35万到40万片,但这并不是公司正式披露的确定目标。招股书披露,长鑫2025年第四季度全球DRAM收入份额为7.67%;Counterpoint按出货量估计,长鑫2025年全球份额约8%,2026年一季度约9%,并预计2028年达到约11%。[2][13]

这与“2026年底冲击15%至20%”的说法存在明显距离。Counterpoint分析师MS Hwang的原意是,长鑫可能需要至少15%的全球份额,才能具备长期竞争力。[13]

即便如此,第四家规模化供应商的出现仍然有意义。对于中国手机、PC、服务器和模组厂商,它意味着供应来源和议价选择增加了。但它是否立刻带来低价,还要看长鑫愿不愿意、能不能以更低价格扩大份额。SemiAnalysis估算,2026年一季度长鑫DRAM平均售价仅比三巨头低约5%至10%,并不是以极低价格“倾销”市场。[9]

因此,更稳妥的判断是:长鑫新增产能有望在未来两到三年增加通用DRAM供给,改善下游客户的谈判地位,并在周期转弱时放大价格下行压力;但在当前供需仍然偏紧的阶段,尚无证据证明它会马上终结涨价。

再看HBM,战略价值最高、验证门槛也最高

HBM是长鑫短期内难以影响全球定价的领域。长鑫招股书没有披露HBM3的具体良率、量产时间、客户验证结果,也没有确认“2026年底试量产、2027年攻克HBM3E”等精确时间表。

与之相比,三星和SK海力士已经分别宣布向客户提供HBM4E样品。[14][15] 三巨头继续通过长期供货协议锁定先进产能,HBM市场的技术、封装和客户认证壁垒依然很高。

所以,长鑫上市本身不会立即改变HBM定价。它对市场的现实影响,首先仍将发生在DDR4、DDR5、LPDDR等通用DRAM领域。

媒体还报道,苹果正在寻求美国政府批准从长鑫采购部分DRAM。该消息最初由英国《金融时报》援引知情人士报道,苹果和美国政府尚未公开确认。[16] 如果最终获批,它更能说明苹果希望增加供应来源、降低供应链风险并强化议价能力。

结构性的答案或许是,长鑫可能在中期缓解部分消费级和通用DRAM的供给紧张,但价格是否真正下降,还取决于全球需求和三巨头的产能策略;在AI服务器最核心的HBM领域,短期价格战仍然难以发生。

坐稳牌桌需要什么

DRAM行业过去四十年的教训很清楚:坐上牌桌不容易,被周期淘汰往往只差一轮现金流危机。

根据招股书引用的Omdia数据,2015至2025年间,DRAM产品价格最高达到7.89美元/GB,最低为1.78美元/GB,峰谷相差约4.4倍。[2] 奇梦达在2009年申请破产,尔必达在2012年申请破产保护。它们的退出既与价格周期有关,也与债务、资本开支、规模和竞争格局有关,不能简单归结为“技术不行”或单一原因。

长鑫的利润质量因此值得持续关注。SemiAnalysis估算,2026年一季度长鑫位元出货量仅环比增长11%,平均售价却环比上涨约57%。这说明利润爆发更多来自价格周期,而不是份额的同步跃升。[9] 一旦DRAM价格回调,利润和估值都可能快速承压。

但长鑫手里确实有三张过去许多挑战者没有的牌。

第一张是市场纵深

海关总署数据显示,2025年中国集成电路进口额约4243.33亿美元,同比增长10.1%。[17] 如此庞大的进口规模,说明中国本土存在巨大的替代空间。

招股书显示,长鑫对一般经销商客户通常采取全额预付款方式;市场上也出现“先款排产”的渠道现象。这说明当前需求旺盛,但预付款和排队并不等于未来需求永远确定。真正决定长鑫能否穿越周期的,仍是终端客户结构、产品竞争力和长期供货关系。[2]

第二张是技术路线上的迂回空间

韩国媒体近期援引业界人士称,长鑫正在探索Bonded DRAM,即把存储阵列和外围控制电路分别制造,再通过晶圆键合实现三维连接。[18] 这条路线有机会改善面积利用、性能和工艺组合,并降低部分单片集成的缩放压力。

但这仍是媒体报道,尚未得到长鑫公开确认。所谓“使用DUV就能达到接近EUV的线宽精度”“长鑫已经领先三星和SK海力士”,都把一种潜在技术路线写成了既成事实。更严谨的说法是:Bonded DRAM可能为受设备限制的厂商提供新的工程路径,但能否形成成本、良率和量产优势,要等产品和产线数据来验证。

第三张是产业意志

合肥及其他产业资本用十年时间证明,中国DRAM项目能够获得超出普通财务投资周期的资金支持。长鑫本次初始发行约66.88亿股,发行价8.66元,初始发行募资总额约579.19亿元。[19]

招股书原拟使用募集资金净额295亿元投向三个项目:75亿元用于生产线技术升级,130亿元用于DRAM技术升级,90亿元用于前瞻DRAM技术研发。[2]

充足的资金为制程升级、扩产和研发提供了更厚的安全垫,但“这些钱一定够用三到五年”仍然缺少公司的资本开支计划支持。DRAM晶圆厂的投入强度极高,资金能够支撑多久,取决于扩产节奏、设备采购、研发投入和下一轮价格周期。

牌桌上多了一把椅子

长鑫当然还没有安全。先进制程、HBM、设备、专利、客户认证和下一轮价格下行,都是现实考验。

但它已经是全球第四大DRAM厂商,全球DRAM在持续十余年的三强寡头格局之后,第一次出现了来自中国大陆、拥有规模化产能和持续扩产能力的第四家厂商。

图:袁振绘制

3万亿元市值定价的,不只是长鑫已经取得的成绩,也包含了市场对国产存储供给、产业自主和未来技术追赶的高预期。这个预期能否兑现,要看三件事:通用DRAM扩产能否稳定转化为份额,前瞻DRAM和先进封装能否进入规模化量产,以及长鑫能否在下一轮价格下行中保持现金流和研发投入。

过去的挑战者往往不是没有技术,而是没有足够的规模、资金和时间。长鑫拥有的底牌确实比许多历史上的第四名更厚,但它是否能坐稳,仍然需要至少一个完整周期来证明。

现在可以确定的只有一件事:牌桌上,确实多了一把来自合肥的椅子。

参考资料

1.证券时报:《长鑫科技上市首日成交额突破1400亿元》,2026年7月27日。 https://stcn.com/article/detail/4043769.html

2.长鑫科技:《首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书》,2026年5月。https://static.sse.com.cn/stock/disclosure/announcement/c/202605/002170_20260527_23QQ.pdf

3.Micron Technology, “Micron Announces $40 Billion Investment in Leading-Edge Memory Manufacturing in the US,” 2022-08-09. https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-announces-40-billion-investment-leading-edge-memory

4.Micron Technology, “Micron and Trump Administration Announce Expanded U.S. Investments in Leading-Edge DRAM Manufacturing and R&D,” 2025-06-12. https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-and-trump-administration-announce-expanded-us-investments

5.Micron Technology, “Micron Accelerates U.S. Investments, Pours First Concrete at New York Fab,” 2026-07-09. https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-accelerates-us-investments-pours-first-concrete-new-york

6.U.S. Department of Commerce, “Department of Commerce Awards CHIPS Incentives to Micron for Idaho and New York,” 2024-12. https://www.commerce.gov/news/press-releases/2024/12/department-commerce-awards-chips-incentives-micron-idaho-and-new-york

7.Micron Technology, Company Timeline: 60,000 lifetime patents. https://www.micron.com/about/company/company-timeline

8.CXMT, “CXMT and WiLAN Subsidiary Had License and Acquisition Agreements.” https://www.cxmt.com/en/news/info_5.html

9.SemiAnalysis, “China’s CXMT Is Set to Challenge DRAM Incumbents,” 2026. https://newsletter.semianalysis.com/p/chinas-cxmt-is-set-to-challenge-dram

10.TrendForce, “DRAM Industry Revenue Surges in 1Q26,” 2026-06-01. https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260601-13070.html

11.TrendForce, “AI Server Demand to Drive Memory Contract Price Increases in 2Q26,” 2026-03-31. https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260331-12995.html

12.TrendForce, “Tight DRAM Supply Gives Suppliers Greater Pricing Power in HBM,” 2026-06-02. https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260602-13074.html

13.Associated Press, “Chinese chipmaker CXMT shares soar in blockbuster Shanghai IPO,” 2026-07-27. https://apnews.com/article/cxmt-china-memory-chips-debut-shares-9cd8b79866cf4bd5ef7c1cb81215e796

14.Samsung Electronics, “Samsung Electronics Begins Shipment of Industry-First HBM4E Samples,” 2026. https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-begins-shipment-of-industry-first-hbm4e-samples

15.SK hynix, “12-Layer HBM4E Sample,” 2026. https://news.skhynix.com/12-layer-hbm4e-sample/

16.Reuters, “Apple seeks approval to buy chips from blacklisted Chinese company, FT reports,” 2026-06-27. https://www.reuters.com/world/asia-pacific/apple-seeks-approval-buy-chips-blacklisted-chinese-company-ft-reports-2026-06-27/

17.海关总署:《2025年12月全国进口重点商品量值表(美元值)》。 https://english.customs.gov.cn/Statics/83fb6750-e095-47c6-9890-14979f5a22e8.html

18.ABMedia转述韩国经济新闻:《中国进军“后HBM世代”!长鑫秘研键合DRAM》,2026年7月。 https://abmedia.io/china-memory-cxmt-ymtc-bonded-dram-hbm-bypass-korea

19.上海证券报·科创板:《长鑫科技新股资料》。 https://kcb.cnstock.com/p/xg/detail/688825

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