据韩媒ZDNET Korea报道，近期三星晶圆代工部门收到了大量关于3D IC解决方案的咨询——这一趋势，正在成为芯片设计行业的新焦点。所谓3D IC，就是将逻辑芯片和存储芯片垂直集成在一起，实现更紧密的互联。
大家知道，HBM通过大量I/O和DRAM Die堆叠，带来了传统内存难以企及的海量带宽。但严格来说，HBM在整个系统层面仍然只是2.5D异构集成。而更进一步的3D集成，则能进一步缩短逻辑单元与存储单元之间的物理距离，通过直接的垂直数据路径，释放出此前被“内存墙”牢牢限制的性能潜力。这才是真正的“打通任督二脉”。
▲ 从标准封装到深度集成的逻辑与存储（图源：华邦电子）
不过，这类3D IC解决方案的特点也意味着：存储半导体部分的设计，必须与逻辑半导体部分高度绑定。换句话说，其中的3D DRAM不再是通用标准品，而是一种定制化产品。这恰恰给中小型内存企业打开了一扇新的蓝海市场大门——毕竟，大型内存厂商往往更倾向于标准品的大规模量产，而定制化、灵活配合的3D DRAM，则是中小玩家可以快速切入的差异化赛道。
