三星电子泰勒逻辑厂开始调试光刻机 平泽DRAM厂已下设备订单
综合两家韩媒 edaily 和 ZDNET Korea 的报道，三星电子的半导体部门正加快扩产速度，因应 AI 热潮下对先进逻辑与存储半导体产能的需求。 逻辑芯片：美国泰勒2nm厂进入关键测试期 逻辑芯片方面，市场动向非常清晰。根据 edaily 昨日的报道，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的那个备
综合两家韩媒 edaily 和 ZDNET Korea 的报道，三星电子的半导体部门正加快扩产速度，因应 AI 热潮下对先进逻辑与存储半导体产能的需求。
逻辑芯片：美国泰勒2nm厂进入关键测试期
逻辑芯片方面，市场动向非常清晰。根据 edaily 昨日的报道，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的那个备受瞩目的 2nm 晶圆厂，已经正式进入了试运营阶段。这意味着什么？关键的 **EUV 光刻机测试已经启动**，同时，蚀刻和沉积流程所需要的主要设备，也正在分批次陆续导入产线。这一切有条不紊的动作，目标很明确：为今年内的初步运营铺平道路，并为2027年的全面投产奠定坚实的硬件基础。
内存芯片：平泽P4工厂集群提速，抢占HBM高地
另一边，内存芯片的军备竞赛同样激烈。参考 ZDNET Korea 今日的最新报道，三星电子在3月末做出了一个关键决策：**为平泽 P4 晶圆厂集群的最后两个阶段 —— PH2 和 PH4 —— 下达了大宗的前端设备订单**。这个信号的背后，是对未来市场的明确押注。这两个阶段都将专注于生产支持 HBM4、HBM4E，乃至未来 HBM5 标准的核心——**1c nm DRAM Die**。可以说，这是在为下一代AI内存的产能提前“锁仓”。
具体来看平泽 P4 的进度：PH1 阶段的投资早已完成；PH3 的设备安装也已基本就位，乐观估计能在年内实现月投片13,000至14,000片晶圆的规模。而在剩余阶段中，PH4 的整体进度会稍快一步，计划在今年5月到6月间就启动设备导入；PH2 阶段目前洁净室建设已经启动，按计划将于今年11月开始装机，目标是到2027年2月完成全部建设工作。
显而易见，从美国的逻辑芯片前沿到韩国的存储芯片大本营，三星电子的扩产步伐正在全面加速。这轮紧锣密鼓的产能布局，直接回应了当前AI产业爆发对底层算力与存储的饥渴需求。未来的芯片供应格局，或许正由当下这些设备订单和工厂进度所悄悄改写。
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