忆联公布UH812c / UH832c eSSD：NAND升级，12GB/s顺序写入
忆联发布UH812c和UH832c两款PCIeGen5企业级固态硬盘，采用先进的3DeTLC闪存及自研主控芯片。顺序写入速度高达14.9GB/s，顺序读取速度达12GB/s，随机读写性能较前代显著提升，性能强劲，支持U.2和E3.S两种规格，最大容量可达16TB，功耗控制非常出色。
忆联最近放出了两款PCIe Gen5企业级固态硬盘新品——UH812c和UH832c，分别对应1DWPD和3DWPD的寿命等级。其中UH812c主打均衡耐用，UH832c则在写入密度上更胜一筹。
这两款新品采用了新款NAND闪存存储介质，并经过了深度调优。相比此前推出的UH812a系列，顺序写入性能提升了14%，随机写入性能提升了20%，4KB随机读取时延低至52μs。从数据来看，这代产品的提升相当实在。
硬件层面，UH812c和UH832c基于3D eTLC闪存，搭配忆联自研的主控和固件，接口走的是PCIe Gen5×4通道，符合NVMe 2.0协议。外形规格上支持U.2和EDSFF E3.S 1T，最大容量做到了16TB级别。这意味着它既能适配传统服务器机箱，也能进入新一代的E3.S存储槽位。
性能方面，两款硬盘均支持最高14.9GB/s的顺序写入速率和最高12GB/s的顺序读取速率。其中UH832c的随机读写速率更是达到了3500K IOPS和1100K IOPS。4KB QD1顺序读写时延分别为7μs（读）和6μs（写），4KB QD1随机写入时延同样为6μs。功耗控制也相当克制：闲置功耗≤5W，整盘峰值功耗≤25W，顺序读取峰值功耗≤18W。
功能特性上，这两款硬盘支持NVMe-MI 1.2b带外管理、端到端（E2E）数据保护、数据安全擦除、Sanitize、256K原子写入等企业级必备功能。内置智能多流、TRIM、智能预读与命名空间流控，同时支持延时统计和慢I/O监控，固件也支持在线升级。此外，还集成了带外状态监控与资产管理能力——对于数据中心运维来说，这些都是实打实的加分项。
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