SSD容量4倍提升！三星冲刺1000层NAND
三星计划通过CMB技术将两块450层NAND晶圆键合，实现900至1000层以上芯片，使8TBQLCSSD容量跃升至32TB。针对晶圆翘曲采用夹具矫正与对位修正技术。该方案尚处原型阶段，SK海力士已量产321层，长江存储量产294/232层并扩产。
6月24日，在2026年的VLSI研讨会上，三星放出了一份颇为激进的V-NAND路线图，直接瞄向了2030年。核心思路很明确：通过CMB技术，把两块450层的NAND晶圆键合在一起，硬生生拼出一颗900到1000层以上的芯片。
MoreThanMoore的Ian Cutress博士算了笔账，按照这个方案，目前主流的8TB QLC SSD，容量可以直接翻到32TB。这个提升幅度，确实让人有些期待。
从三星给出的路线图来看，NAND行业眼下才刚刚踏入400层时代。按照规划，2029年堆到420层，2030年突破560层，然后下一个十年的初期，就要冲击1000层以上的大关。
层数越堆越高，第一个跳出来的拦路虎就是晶圆翘曲。说白了，层数越多，堆叠时的内应力就越大，晶圆在制造过程中很容易弯曲变形。一旦变形，光刻对准就会失败，良率自然直线下降。
三星给出的应对方案叫Upper Chuck Design，简单理解就是用专门的夹具强行把晶圆“掰直”，把翘曲控制在可接受范围内。同时，再配合Overlay Correction技术来修正层与层之间的对位误差。这套组合拳的目的很明确：为后续继续往上堆叠，留出足够的工程余量。
但话说回来，单颗芯片无限制地往上堆，终究是有物理极限的。这正是三星选择CMB方案的根本原因。把两块已经造好的450层NAND芯片，通过键合工艺像拼乐高一样拼接起来，等于直接绕开了单芯片堆叠的天花板。两块450层拼在一起，总层数就轻松突破了900层。
当然，得泼一盆冷水。这项技术目前还停留在原型阶段。从原型走向大规模量产，中间还横着好几道坎——键合精度能不能控制好、不同材料的热膨胀能不能匹配、量产良率能不能拉起来，这些都是实打实的工程难题。
从竞争格局来看，目前SK海力士手里攥着321层NAND的量产权，是行业里第一个吃到螃蟹的厂商。而国产的长江存储，追赶速度同样不容小觑。长江存储目前已经量产了294层和232层产品，而且正在大规模砸钱新建晶圆厂，计划把产能直接翻倍。
在AI超周期导致存储供需缺口持续扩大的节骨眼上，长江存储的扩产时机，正好卡在了市场最缺货的窗口期。值得关注的是，这个节奏踩得确实够准。
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