三星与英伟达的合作扩展至NAND领域：加速V10和V11闪存布局
三星与英伟达合作扩展至NAND领域，英伟达为AI服务器研发上下文存储方案，需大量SSD。三星正加速第10代V-NAND量产，第11代已启动试产，层数最高达500层。
三星和英伟达的合作，最近又往前迈了一步。从通用型DRAM、HBM到晶圆代工，双方已经绑得很深了，现在这条战线又延伸到了NAND闪存领域。
事情要从AI服务器的一个棘手问题说起。随着AI服务器出货规模越来越大，处理上下文数据（也就是Key-Value cache，简称KV缓存）已经开始形成瓶颈。英伟达的应对方案是搞一个“上下文存储”（Context Memory Storage，简称CMX），而这恰恰是三星的强项。
目前英伟达用于AI服务器的CMX方案，需要576块SSD，总容量达到9600TB。有业内人士测算，2026年CMX需要的总容量大概在3500万TB上下，到了2027年还将继续飙升，直接突破1亿TB。作为全球第一大NAND闪存芯片制造商，三星今年的产量预计能达到2.5亿TB——这么大的体量，英伟达自然优先找上门来当主力供应商。
具体到产品端，三星已经在大批量向英伟达供应第9代V-NAND闪存，同时也在加速推动第10代V-NAND的量产。第9代V-NAND的层数已经做到286层，第10代预计会提升到400层以上。三星现有的V-NAND产线月产能超过10万片晶圆，其中60%的产能分配给了第9代产品，良品率也达到了80%以上——毫无疑问，这是现阶段的主力军。
双方的合作还在往前推。第11代V-NAND闪存的开发已经启动试产，从目前的信息来看，层数最高有望达到500层。速度确实不慢。
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