追逐“未来之光”,薄膜铌酸锂光芯片加速量产
作者:水悠悠予安
时间:2026-06-17
浏览:7
工信部印发政策将高端光电芯片列为重点,推动薄膜铌酸锂光芯片加速量产。这种“光学硅”材料突破物理极限,速度更快、功耗更低、集成度更高,正从实验室走向量产线,成为资本追逐的焦点。
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近日,工业和信息化部印发《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见(2026—2028年)》,明确将“加强高端光电芯片和器件研发”列入重点任务,并部署开展光电混合组网技术试验。这一政策信号,直接把高端光电芯片公司推到了聚光灯下。

过去两个月里,一波又一波的券商研究员和投资人密集来往于长三角,逐一走访南京、苏州、杭州的新一代光芯片上下游企业。他们到底在追逐什么?答案聚焦在一种被称为“光学硅”的新材料——薄膜铌酸锂。这项技术之所以引发如此高的关注,是因为它打破了传统光通信材料的物理极限:速度更快、功耗更低、集成度更高。如今,薄膜铌酸锂正加速从实验室走向量产线,成为资本竞相押注的“未来之光”。(上海证券报)
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