内存Q3将环比上涨四至五成！业内专家预测震惊华尔街机构
存储器行业专家预测，2026年第三季度内存价格环比上涨40%至50%，第四季度再涨30%至40%，短缺将持续至明年。涨价主因是AI数据中心需求挤占消费产能，中国厂商短期受限但DDR5已满足PC需求，2028年价格有望回落。此外，三星等被诉涉嫌合谋操纵价格。
财联社6月30日讯——苹果和微软Xbox近期提高产品价格的决定，再次将内存短缺下的消费电子供应链危机推到聚光灯下。而一位深耕存储器行业多年的专家，对华尔街给出了一个相当冷峻的判断：今年剩余时间以及2027年，局面只会越来越糟。
存储器行业资深顾问、前三星中国高管Ethan Tan，在向杰富瑞股票研究分析师分享时给出了具体预测：2026年第三季度，存储价格将比上一季度上涨40%至50%；第四季度还会再涨30%至40%。这个涨幅，已经远非小打小闹的波动。
Tan的计算逻辑是：半导体节点技术的进步在2026年只能让供应量增长7%到8%，这点增量根本填不上需求的大坑。因此，短缺会持续到明年，届时价格可能再涨40%到45%。
这个幅度，比西方投资者和杰富瑞内部研究团队此前的预期都要高出一截。不过，Tan也给出了一个相对乐观的节点：随着供应量逐步增加和人工智能需求增速放缓，2028年内存价格有望回落15%到20%。
涨价不停
三星、SK海力士和美光——这三家公司几乎包揽了全球所有的DRAM和NAND闪存生产。在人工智能数据中心，这些存储芯片的利润率远高于消费级PC、智能手机或游戏机，于是厂商们自然优先把产能往高利润领域倾斜。这才是消费电子领域内存短缺的根本原因。
目前，数据中心的需求已经超过这三家公司的总产能，价格在四年内飙升了700%。消费级内存变得异常昂贵，苹果、索尼、微软等厂商只能跟随提价，最终买单的还是普通消费者。
Tan还指出，像长鑫存储这样的中国厂商，今明两年的供应依然受限——主要原因是缺乏生产下一代芯片所需的先进制造技术，比如EUV光刻。这意味着，中国厂商短期内无法量产DDR6或HBM3E这类高规格产品。
不过，他同时也提到，中国生产的DDR5内存已经能满足消费级个人电脑的需求。预计到2028年，中国国产NAND闪存技术将与全球其他地区持平。
然而，尽管制造商和行业分析师普遍把价格飙升归因于AI基础设施的需求，加州一项新的诉讼却提出了另一种指控：三星、SK海力士和美光这三家公司，涉嫌合谋利用这波行情人为抬高价格。
如果此案继续推进，这将是近30年来至少第三起内存价格操纵丑闻。此前，三星、SK海力士、美光，以及现已倒闭的英飞凌和尔必达的DRAM部门，曾在1998年至2002年期间承认串谋操纵价格。2010年末内存价格飙升时，这三家巨头再次被怀疑操纵价格，但最终因证据不足在上诉中被驳回。加州的这起诉讼能否拿出足够有力的证据，目前还不得而知。
（财联社 马兰）
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