专家称，尽管美光非易失性NVD-RAM存储具有许多亮点，但商业化的可能性不大
本站1月29日消息，美光于2023年末在IEEEIEDM会议上披露了其32Gb3DNVDRAM（非易失性DRAM）研发成果。不过根据外媒Blocks&Files从两位受采访的行业分析师处得到的消息，这一突破性的新型内存基本不可能走向商业化量产道路，但其展现的技术进展有望出现在未来内存产品之中。美光的NVDRAM内存基于铁电性（本站注：具有自发极化，且极化方向可在外加电场下反转）原理，可在拥有类似NAND闪存的非易失性的同时获得接近DRAM的高耐久和低延迟。该新型内存采用双层3D堆叠，32Gb的容量
本站 1 月 29 日消息，美光于 2023 年末在 IEEE IEDM 会议上披露了其 32Gb 3D NVDRAM（非易失性 DRAM）研发成果。不过根据外媒 Blocks & Files 从两位受采访的行业分析师处得到的消息，这一突破性的新型内存基本不可能走向商业化量产道路，但其展现的技术进展有望出现在未来内存产品之中。
美光的 NVDRAM 内存基于铁电性（本站注：具有自发极化，且极化方向可在外加电场下反转）原理，可在拥有类似 NAND 闪存的非易失性的同时获得接近 DRAM 的高耐久和低延迟。该新型内存采用双层 3D 堆叠，32Gb 的容量密度创下了铁电性存储器的新纪录。美光已基于 LPDDR5 规范对 NVDRAM 样品进行了测试，认为其适合严苛的 AI 负载。
不过，两位受采访的分析师均认为，美光 NVDRAM 本身不太可能成为量产产品。
来自 Objective Analysis 的分析师 Jim Handy 认为，美光的 32Gb NVDRAM 有三项重要技术进展：
首次在产品中实现相较现有 DRAM 更小的铁电性电容器；
在垂直通道上引入多晶硅技术；
将被用于 3D NAND 生产的 CuA（CMOS 阵列下）技术推广到内存领域。
Jim Handy 认为，美光 NVDRAM 在电容器中使用了锆（Zr）掺杂的氧化铪（HfO₂）高介电常数材料，可大幅降低内存刷新率并显著节省功耗。这一改进也可减小 DRAM 中电容器的体积，进一步提升存储密度。上述一系列技术改进使得美光可仅用 48nm 成熟工艺就生产出 32Gb NVDRAM。作为对比，三星去年推出了相同 32Gb 容量的 DDR5 DRAM，其采用的是 12nm 级工艺，相较美光样品大幅领先。
不过 Jim Handy 也表示，其听到过一些关于该 NVDRAM 不会进入量产阶段的暗示。
另一位接受采访的分析师是来自 MKW Ventures 的 Mark Webb。他认为美光在相关项目上投入了大量的时间和精力。而这样一份详细的论文出现在 IEDM 会议上，一般只有两种情况：要么即将推出产品；要么产品因未知原因取消。Mark Web 的结论是，他也不认为这一特定版本的产品将量产。
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