英特尔拟推双面供电14A Gen2工艺 迎战台积电与三星1.4纳米攻势
英特尔计划推出14A2工艺，采用双面供电架构并压缩金属间距至21纳米，以应对台积电和三星的1.4纳米攻势。此举可提升晶体管密度，但面临电阻增加等挑战，需借助复合供电方案维持稳定。
先说几个核心判断：半导体工艺竞赛已经进入白热化阶段，而英特尔这次放出的消息，可能会让整个行业的竞争格局发生微妙变化。
据韩国ETNews等多家行业媒体爆料，面对台积电和三星电子在1.4纳米级芯片制造上的步步紧逼，英特尔正在秘密调整自己的工艺路线图。具体来说，除了早前公布的14A标准工艺，英特尔还计划推出一款名为“14A2”（即14A Gen2）的改良版制程。这可不是简单的“挤牙膏”，而是一次技术层面的深度升级。
先看看对手们的节奏：台积电预计最快明年就让A14晶圆厂上线，三星则瞄准2029年实现1.4纳米工艺的量产。英特尔原本计划在未来一年内推出突破性的14A技术，以此吸引外部代工客户，重塑其晶圆代工业务。但现在看来，光是14A还不够，还得有14A2这个“技术增强包”。
技术架构层面，标准14A工艺采用的是“PowerDirect”技术，也就是背面供电网络（BSPDN）。不过最新消息显示，英特尔正在考虑在14A2中引入更激进的“双面”（Dual Side）供电架构——这意味着芯片的正面和背面都要承担供电任务。这可不是小改动，它直接关系到整个芯片的物理设计。
另一个关键参数是金属间距（Pitch）。标准14A的M0金属间距缩减至28纳米，而14A2则计划通过双重图形曝光（Double Patterning）等改良技术，进一步压缩至21纳米。要知道，基础版14A已经宣称能带来约30%的晶体管密度提升，14A2的密度增益无疑会更惊人。
不过，技术升级从来不是免费的午餐。21纳米的超细间距虽然能大幅提升High-NA EUV光刻机这类昂贵设备的利用率，提高单台机器的盈利能力，但也带来了一个棘手的问题——电阻大幅增加。同时，现有的纳米硅通孔（nTSVs）设计也难以承受如此高密度的电力负载。为了攻克这个瓶颈，据传英特尔已经采用了一种复合结构：继续将背面供电网络（BSPDN）作为核心的主要供电源，但同时将一部分电力配给分配给正面金属层，以维持整体电路的稳定。这相当于给芯片设计了一套“双保险”的配电方案。
从市场格局来看，台积电目前订单量几乎饱和，这让不少芯片设计厂商开始将目光投向英特尔和三星等其他代工厂。英特尔对重夺半导体制造领导地位充满信心，但作为晶圆代工市场的后来者，它仍需向外部客户证明大规模量产的实力。值得注意的是，后续的18A-P、14A以及全新曝光的14A2工艺，都已经成为整个半导体行业瞩目的焦点。这场1.4纳米级的竞赛，才刚刚拉开序幕。
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