消息称台积电版特斯拉AI5芯片采用3nm工艺制程
作者:NorthPath
时间:2026-07-24
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特斯拉AI5芯片采用双源策略,三星版基于2nmGAA工艺,而台积电版采用3nmFinFET工艺并由创意电子设计。台积电版流片进度领先三星版一个季度,但三星版制造成本更高。此外,双源策略可降低供应链风险,保障产能。
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先说几个关键点:特斯拉在AI芯片的布局上,正走一条双线并行的路线——既押注三星,也离不开台积电。具体来看,AI6系列芯片采用了双源供应策略,AI6基于三星的2nm工艺,而AI6.5则转向台积电的2nm。这背后显然不只是技术路线选择,更是供应链博弈的体现。
到了AI5这一代,同样的双源策略继续上演。三星版本的AI5已经完成流片,同样基于2nm工艺。但台媒《工商时报》透露,台积电版本的AI5却选择了3nm节点,设计合作伙伴是创意电子(GUC)。有意思的是,台积电版本的流片进度反而比三星版本早了一个季度。

这里有个值得注意的差异:三星的2nm采用的是GAA晶体管架构,而台积电的3nm仍沿用FinFET。这意味着两版AI5在芯片设计的物理实现层面会有本质区别——从底层晶体管结构到电路布局,都得重新来过。可以预见,三星代工版AI5的制造成本会更高,因为GAA工艺本身就更复杂,而且从结果看,连流片时间都晚了一季,这对特斯拉来说,时间成本也是一笔账。
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