突破千层三星公布NAND SSD容量提升目标为四倍
三星计划2030年推出900-1000层NANDSSD，2029年达420层，2030年超560层。采用CMB技术堆叠450层单元，8TBM.2SSD容量可升至32TB。量产面临晶圆翘曲与层间对准误差，已提出校正方案。
在夏威夷刚刚落幕的2026年IEEE/JSAP VLSI技术与电路研讨会上，三星一口气放出了下一代NAND闪存的完整路线图。根据Wccftech的现场报道，这家存储巨头计划在2030年前后冲击900到1000层SSD——这个数字放在几年前简直不敢想。
具体来说，三星的幻灯片显示了一条清晰的演进路径：2029年推出420层NAND闪存解决方案，到2030年进一步推进到560层以上。然后，在下一个十年的初期，层数将直接翻倍，迈向1000层以上的产品，专门服务高容量存储场景。
路线图中还特别展示了900到1000层的中间方案。这里用到了一个关键连接技术——CMB（单元多重键合）。简单来说，就是在一颗芯片内封装两组450层单元，通过垂直堆叠的方式实现层数翻倍。这项技术的直接收益相当可观：原本8TB的QLC M.2 SSD，可以一口气提升到最高32TB。换句话说，未来一块普通M.2固态硬盘的容量，能抵得上今天好几块企业级硬盘的总和。
当然，层数堆叠不是喊个口号就能实现的。三星坦诚地列出了量产过程中的两大主要障碍：晶圆翘曲和层间对准误差。随着层数增加，晶圆在制造过程中会像纸片一样变形，而每一层之间的微小偏移都会累积成致命缺陷。针对这些问题，三星计划引入Upper Chuck Design方案来控制翘曲，同时借助Overlay Correction（叠对校正）技术来降低错位风险。
从这份路线图来看，三星的野心不仅停留在层数数字的竞赛上，更在于通过CMB连接和纠错技术的组合拳，真正把高容量存储从企业级市场下沉到消费级设备。可以确定的是，当1000层NAND真正落地时，整个存储行业的容量和成本结构都将迎来一次重写。
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