国产高端半导体检测设备正式发布：多项性能指标超越国际同类产品
凌光红外发布国内首款EMMI+OBIRCH二合一显微镜，集成微光检测与激光诱导电阻变化功能，搭载深度制冷相机及自研物镜，实现纳安级漏电定位与pA级电流测量，多项性能超越国际同类产品，已获安徽省首台套国际先进认定并推进本地产业链应用。
国产半导体检测设备再突破：凌光红外发布国内首款EMMI+OBIRCH二合一显微镜
从行业视角来看，半导体产业的每一次技术跃进，背后都离不开精准的检测手段。就在最近，国内半导体检测设备领域传来一个值得关注的消息——凌光红外正式发布了LUXET VERITAS微光显微镜及激光诱导电阻变化（EMMI+OBIRCH）二合一显微镜。这是国内首款实现此类集成化设计的电性失效分析设备，可以说，国产装备在半导体产业链自主可控的道路上，又拉开了一个关键序幕。
当前全球半导体产业已经进入先进制程时代，芯片内部越来越精密、越来越复杂，传统检测手段往往力不从心。电性失效分析，作为芯片研发迭代、良率提升和品质保障的核心环节，其重要性不言而喻。而凌光红外这家公司，正是在这样的大背景下，一步步深耕光学成像与精密检测领域，坚持正向研发，持续攻关电性失效分析核心技术。
从产品线来看，他们此前已经推出了锁相红外显微镜、微光显微镜、激光诱导电阻变化显微镜等系列产品，多项性能指标甚至超越了国际同类产品。此次推出的二合一集成设备，更是将EMMI微光检测与OBIRCH激光诱导电阻变化两大主流失效分析功能深度融合，实现“一机两用”，高度集成，全面覆盖半导体全链条检测需求。
具体到核心硬件与性能参数，这台设备搭载了深度制冷近红外相机和大口径自研1.35倍物镜。EMMI模块能够精准定位纳安级微弱漏电，高效识别PN结击穿、闩锁效应、栅极氧化层漏电、多晶硅缺陷等典型失效问题。而OBIRCH模块则采用1300nm标准激光波段、500mW额定功率，可实现pA级超高精度电流放大测量，精准排查金属线路、导通孔、接触孔阻值异常等隐蔽缺陷。这才是关键所在——很多失效问题就藏在这些细节里，传统设备往往难以发现。
自2025年落地合肥科大硅谷片区以来，凌光红外加速推进核心技术产业化，多款产品先后获评合肥市“三新”产品、安徽省首台套重大技术装备国际先进认定。更重要的是，依托产业链专场场景对接会，企业与合肥半导体产业链链主企业实现了精准对接，并逐步建立起稳定合作关系。这意味着，国产高端半导体检测设备在本地产业链中的应用推广，已经迈出了坚实的一步。
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