万亿美元市值的“存储三巨头”：涨价、垄断与扩产

放眼全球，市值突破万亿美元的科技公司，掰着手指头数也就十几家。有意思的是，这里面做存储的，就占了三席。

过去这一年，SK海力士和美光的股价几乎是踩着9倍速往上冲，三星电子的涨幅也超过了5倍。这三家存储巨头，就这样大步迈进了“万亿美元市值俱乐部”。

具体来看：去年6月27日，美光股价还在124.7美元上下，到了今年6月28日，直接飙到了1132美元，市值稳稳超过1.2万亿美元；SK海力士这边，去年6月29日股价约180美元，今年6月26日已经到了1700美元，总市值大约1.38万亿美元；三星电子去年6月29日股价约40美元，今年6月27日约209美元，市值约1.4万亿美元。

为什么这三家能这么猛？核心原因其实很简单：目前市面上超过90%的算力服务器里，存储芯片的市场，几乎被三星、SK海力士、美光给包圆了。

伴随着这三巨头的狂飙突进，存储行业也被贴上了三个标签：涨价、垄断、扩产。

三个月狂揽800亿美元

存储芯片涨价的苗头，其实从2025年上半年就开始了。

去年4月，闪迪一封涨价函直接告诉客户，产品整体涨幅超过10%，算是正式拉开了存储芯片短缺、涨价的大幕。随后，三星、海力士、美光这些大厂也纷纷跟进。到了2025年下半年，涨幅一度超过70%，而且市场上供不应求。

这种局面，直接带来了2025年三家头部存储公司营收和利润的爆炸式增长。

2025财年，三星电子半导体业务的营收大约308亿美元，营业利润约114亿美元；海力士营收约681亿美元，净利润约300亿美元；美光营收为373.78亿美元，净利润85.39亿美元。这一年，海力士的利润率高达48.5%，三星和美光的毛利率也分别达到了39.4%和39.8%。

到了2026年开年，这种增长势头不仅没停，反而更猛了。三家半导体巨头的营收几乎翻倍，利润更是迎来了大约4倍的暴涨，净利率和毛利率也跟着翻倍。

2026年一季度，三星半导体业务营业总收入530亿美元，同比增长225%，营业利润350亿美元，同比增长480%；海力士营业收入约330亿美元，同比暴涨198%，营业利润约240亿美元，同比增长405.5%。

再看美光最新发布的2026财年第三季度数据，增长还在继续。期间营收414.6亿美元，同比增长345.7%，净利润288.6亿美元，同比暴涨了1398.3%。

算下来，这三家巨头三个月就赚了800多亿美金，已经超过了2025年全年的利润。而利润高速增长的背后，是净利率和毛利率的翻倍。2026年一季度，三星营业利润率是66%；海力士达到72.7%；美光在2026财年三季度的毛利率更是高达84.9%。

到了2026年5月下旬，这三家存储公司的市值，相继突破了万亿美元大关。

目前全球市值超万亿的公司一共只有16家，科技公司占了13家。除了这三家存储巨头，还有市值超过四万亿美元的英伟达，谷歌、苹果，超过两万亿的微软、亚马逊、台积电、SpaceX，以及刚刚踏入万亿俱乐部的博通、特斯拉和Meta。而三星和SK海力士，也成了唯二进入万亿美元市值俱乐部的韩国企业。

那么，是哪些关键技术支撑了他们的狂奔？答案是两个核心品类：DRAM与NAND Flash。

“吸金王”：DRAM与NAND Flash

存储器大致可以分成两类：一类是易失性存储，读写速度快，但一断电数据就全没了；另一类是非易失性存储，断电后数据依然能保留。DRAM和NAND Flash，恰好就是这个分类里最具代表性的两个——一个是易失性的，另一个是非易失性的。

DRAM这个大家族里，包含了不少技术路线：比如HBM（高带宽内存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等。其中DDR5/6主要用于台式机和服务器，LPDDR6/5/5X则用在智能手机、平板和车载系统上，GDDR6/GDDR7是面向图形处理器的高速显存。

而HBM，是专为算力服务器打造的存储方案，也是技术壁垒最高的DRAM。它采用2.5D堆栈技术，需要把8层、12层甚至16层的DRAM芯片，通过TSV（硅通孔）技术垂直堆叠在一起。目前最新的技术是HBM3e和HBM4，单颗存储容量已经超过36GB。三星和美光目前的HBM3E和HBM4都采用12层堆叠，最高能实现36GB容量，而他们正在研发16层堆叠、容量达48GB的HBM4。

NAND Flash，也就是我们常说的闪存，应用范围更加广泛。手机里的内置存储、U盘、服务器里的固态硬盘SSD，用的都是它。在AI算力场景下，存储已经演进到了PCIE 6.0 SSD。NAND Flash依靠3D堆栈技术，把200层甚至300-400层的芯片堆叠到一个芯片上，堆栈层数越多，技术难度也越高。比如海力士已经开始采用321层的固态硬盘，并计划在今年底量产375层的3D NAND Flash，三星则计划在2029年实现420层的SSD。

根据CFM闪存市场的统计数据，在2025年第四季度，全球DRAM市场的前三名分别是三星电子、SK海力士和美光，分别占据了37.1%、33.1%和20.8%的份额。而在NAND Flash市场，前五名分别是三星、SK海力士、铠侠、闪迪和美光，份额分别为27%、22.1%、15%、12.8%和11.6%。

站在行业顶端，自然免不了被盯上。最近外媒披露，6月29日，三星电子、SK海力士和美光科技就遭遇了美国联邦反垄断的集体诉讼，被指控合谋限制传统DRAM供应、抬高价格，加剧了内存短缺。

不过话说回来，这三家存储巨头能站到今天这个位置，其实已经走了将近五十年。

内卷、洗牌的五十年

DRAM比NAND Flash早了20年问世，但有趣的是，发明这两种芯片的公司，如今都已经放弃了存储业务。

1970年，英特尔推出了世界上第一款DRAM存储芯片（Intel 1103），容量只有区区1KB，并且一度拿下了存储芯片80%以上的市场。八年后的1978年，帕金森兄弟在美国爱达荷州一个牙科诊所的地下车库里创立了美光，并在次年发布了64Kb容量的DRAM。

1980年，美光成立仅仅两年后，行业就开始“内卷”了。当时日本厂商东芝、日立、富士通等大举进军存储市场，凭借极高的良品率和更低的价格，抢占了80%以上的市场份额。英特尔因为实在打不过日本公司，只好放弃DRAM业务，转型去做微处理器CPU。

三年后，韩国的两大巨头才姗姗来迟。1983年，韩国商人郑周永成立了现代电子产业株式会社，这就是SK海力士的前身。同年，三星创始人李秉喆宣布正式进军DRAM市场，并发布了用于个人电脑的64Kb容量DRAM，比美光晚了4年，比海力士早了两年。

1989年，东芝推出了首款NAND Flash产品，闪存正式登上舞台中央。1992年底，三星从东芝获得了NAND Flash的设计授权，并推出了自家的首款NAND Flash器件。

此后的十年，存储行业开始重新洗牌。韩国现代电子并购了LG半导体，并在一年后将现代电子彻底剥离，更名为海力士半导体。同年，日本企业也开始并购重组：NEC与日立剥离各自的内存业务，联合成立了NEC日立存储器，一年后正式更名为尔必达。2000年代初期，海力士开始研发NAND Flash，2002年，三星在全球闪存市场份额排名第一。

2003年，日本三菱电机的DRAM制造部门也被并入了尔必达。在之后几年，尔必达进入了发展的黄金期，成功在东京证券交易所上市，一度获得了20%的市场份额。但在2012年之后，日本企业渐渐退出了存储赛道。一方面，尔必达因为难敌韩国企业的竞争，加上日本经济环境的限制，最终宣布破产，并由美光收购。另一方面，东芝在2016财年净亏损高达9657亿日元，不得已将存储部门剥离并出售，到2019年正式更名为铠侠。

如今，DRAM和NAND Flash是三星和海力士的绝对统治区。不过他们的侧重点略有不同：三星的优势在于智能手机、电脑中的DDR5/6、LPDDR5等消费级市场，而海力士因为更早绑定了英伟达，在HBM市场占据了更有利的位置。

算力竞争的下半场，依然是在拼产能。6月29日，SK海力士宣布将单独向韩国西南地区的半导体集群投入400万亿韩元，用于建设多座存储晶圆厂和HBM先进产线；三星电子也正式公布了未来10年总额约1000万亿韩元的投资计划；美光同样在纽约州和爱达荷州规划了庞大的全新晶圆厂建设。

不过，存储行业是个周期性极强的行业——产能不足时价格猛涨，但一旦需求下降，价格也会迅速滑坡。这意味着，存储行业里没有永远的牛市，眼下的繁荣，终有一天会迎来周期反转的考验。