消息称苹果启动长鑫存储DRAM芯片测试 拟用于中国市场销售设备
苹果已开始测试长鑫存储DRAM芯片，计划用于中国市场的设备，并游说美国放宽限制。存储芯片涨价迫使苹果提价。长鑫面临地缘政治、技术差距和专利诉讼风险，初期或仅用于低端机型。长鑫为全球第四大DRAM厂商，但处于满产状态。
7月8日，一则来自英国《金融时报》的消息引发了不少关注：苹果已经开始测试长鑫存储（CXMT）的DRAM内存芯片，而且计划专门用在面向中国市场销售的设备上。不过，目前还只是评估阶段，并没有承诺商用量产。
更值得琢磨的是，苹果正在美国科技企业中牵头游说华盛顿，希望放宽对长鑫存储产品的限制。此前苹果就已经在向美国政府申请采购长鑫存储DRAM的许可，同时还打算采购长江存储的NAND闪存。说白了，苹果想借中国供应商来给供应链上双保险，万一存储市场再起波澜，不至于被卡住脖子。
这波游说的背景也很直接——存储芯片的价格已经涨疯了。AI数据中心的疯狂需求，把三星、SK海力士、美光的产能几乎全拉去了高利润的HBM（高带宽内存）。结果消费级的DRAM和NAND Flash供应紧张，价格一路飙升。标准型DRAM合约价在2026年初涨了55%到60%，苹果不得不把MacBook、iMac、iPad等产品提价，部分Mac机型甚至涨了1000美元。这可是近十年来苹果最大规模的一轮硬件涨价。
那么，长鑫存储的DRAM芯片到底能不能顺利打入苹果供应链？美国银&行最新研报泼了一盆冷水，列出了三大障碍。
第一，地缘整治风险。长鑫存储被列入了美国国防部的1260H名单，虽然不是直接出口禁令，但已经触碰了敏感供应链的审查红线。美国对华半导体管制政策形成了一道实质性门槛。
第二，技术指标还有差距。苹果移动设备对LPDDR5X内存的要求很苛刻：传输速率要超过10Gbps、工作电压1.1V、还得搭载ECC纠错功能。长鑫的LPDDR5X最高速率能做到10.667Gbps，但受制于相对落后的制程工艺，芯片的寄生电容和漏电流偏高，功耗和散热表现很难完全匹配旗舰iPhone的严苛规格。
第三，专利诉讼的隐患。全球DRAM核心专利池几乎被三星、SK海力士和美光垄断。如果苹果大举采用长鑫的产品，很容易被第三方起诉侵权，供应链的法律成本和不确定性都会增加。
基于这些限制，美银的判断是：即便苹果最终用了长鑫存储的DRAM，初期也只可能限于iPhone 18e这类入门低端机型。而低端iPhone在中国市场销量本就疲软，实际采购订单体量有限，很难形成真正意义上的产业规模。
不过，多数分析师都认为，苹果这番动作有着鲜明的商业战略意图——拿长鑫存储当筹码，在跟三星、SK海力士、美光谈判2026年下半年或2027年的合约价格时，给自己多留点议价空间。
最后聊聊长鑫存储的行业位置。它已经是全球第四大DRAM芯片生产商，仅次于三星、SK海力士和美光。Omdia数据显示，按2025年第四季度销售额算，长鑫全球市场份额达到7.67%。去年它的DRAM晶圆产能约占全球的11%，随着合肥、上海、北京新生产线陆续投产，这个比例预计2028年能提升到15%。
但有意思的是，报道也提到长鑫目前处于满产状态，连中国本土企业的需求都很难完全满足。在这种情况下，它到底能不能给苹果大规模供货，恐怕还是个未知数。
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