价格翻倍！利好突袭：存储芯片，传来大消息

存储芯片的涨价潮，显然没有停下来的意思。

研究机构DigiTimes的最新报告给出了一组关键判断：受AI需求激增和产能结构性瓶颈的双重挤压，高带宽内存（HBM）的价格预计在2027年实现翻倍。与此同时，SK海力士CEO郭鲁正也放话，2027年将是存储芯片行业供应短缺最严重的一年。种种迹象表明，这轮涨价潮不仅没有降温，反而愈演愈烈。存储模组大厂威刚的董事长近日也透露，2026年第三季度，存储芯片还会继续涨价。

价格或将翻倍

当地时间7月10日，DigiTimes最新报告援引业内人士观点称，AI算力需求爆发叠加产能结构性紧缺，HBM价格预计2027年翻倍。具体来看，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4到5美元，甚至更高。

价格飙升的根源，在于生产端的两大痛点：一方面，HBM4制造工艺难度极高，生产周期长达4到6个月，初期良品率偏低；另一方面，生产HBM所需的晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线的产能释放空间被大幅压缩。

当前全球HBM三大主力——三星电子、SK海力士和美光科技，正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。DigiTimes预判，到2027年，全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商想拿到供货份额将非常困难。

供应链消息进一步透露，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。到2026年底，芯片厂商的议价权将拉满，那些没有提前签订长期供货协议的消费电子企业，可能面临严重的内存断供危机。

今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，这迫使芯片制造商要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。紧缩供应、涨价叙事，正在成为存储芯片板块的强大催化剂。

美东时间7月10日，韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，创下历史纪录的265亿美元发行规模。其ADR价格大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价，显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲延续态势。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，全球存储芯片行业正迈向史上最严重的供应短缺，预计2027年将成为行业供应最紧张的一年。尽管公司正积极扩充产能，但他预计，存储芯片需求仍将持续超过公司的生产能力，并且一直延续到2030年以后。

存储模组大厂释放重磅信号

全球第二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片继续涨价。他表示，第三季度DRAM与NAND Flash价格将再度大幅上调，两大产品线涨势明确，存储产业的上升通道仍在加速。

陈立白透露，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%。两大产品线价格均维持上升趋势，将持续助力威刚业绩表现。他还提到，当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。

威刚表示，随着AI算力需求持续扩张，厂商分配给通用DRAM、消费级固态硬盘NAND闪存的产能持续缩减，本就处于供给最紧张阶段的存储市场供需矛盾将进一步加剧。2027年内存、固态硬盘产品的供货紧缺问题或将进一步恶化。

在此之前，多家机构也发表报告预计2026年第三季度存储芯片价格将继续上涨。据TrendForce（集邦咨询）最新发布的存储器价格调查报告，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高价格基数原因，合约价涨幅收敛，预计将季增13%—18%。

NAND Flash方面，集邦咨询认为，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预计整体NAND Flash合约价将季增10%—15%，涨价幅度较前几季明显缩减。

瑞银在7月发布的最新报告中大幅上调存储芯片价格预期，称DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。

排版：罗晓霞 校对：高源