AI需求引爆存储芯片涨价潮，2027年或现严重缺货
AI需求激增和产能瓶颈推动存储芯片涨价，HBM2027年翻倍，HBM4飙升。三大厂商签长期协议，包揽2027年近半数DRAM产能。通用存储涨价，DRAM涨20%-30%，NAND涨35%-40%。
存储芯片的涨价潮，不仅没有停下来的意思，反而愈演愈烈。AI算力需求的爆发式增长，叠加产能端的结构性紧缺，正在把整个行业推向一个前所未有的涨价周期——甚至有机构预测，到2027年，我们可能会迎来史上最严重的供应短缺。
根据研究机构DigiTimes的最新报告，AI需求激增与产能瓶颈共同作用下，高带宽内存（HBM）的价格预计将在2027年实现翻倍。具体来看，下一代HBM4的价格，可能从2026年下半年约2美元/千兆比特，一路飙升到4至5美元，甚至更高。这背后的驱动力，其实源自两个很现实的生产痛点：第一，HBM4的制造工艺难度极高，生产周期长达4到6个月，初期良品率自然偏低；第二，生产HBM所需的晶圆面积，是普通DDR5内存的整整3倍，这意味着现有产线的产能释放空间被大幅压缩。
目前，全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技，正在通过签订三到五年的长期协议，提前锁定全球内存供应。DigiTimes预判，到2027年，全球近半数的DRAM产能将被这些大客户包揽，中小厂商几乎拿不到供货份额。供应链消息也透露，2027年AI硬件将持续存在根本性的供货缺口。到了2026年底，芯片厂商的议价权将拉满，那些没有提前签订长期供货协议的消费电子企业，可能要面临严重的内存断供危机。一个有意思的数据是：今年部分供应商的DDR5利润率已经突破了80%，这迫使芯片制造商不得不对HBM提出更高的定价要求。
存储芯片巨头的市场动作，也在印证这个强劲趋势。美东时间7月10日，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，发行规模高达265亿美元，ADR价格当天大涨超过12%，较韩股普通股股价存在显著溢价——这足以说明市场对存储芯片前景的看好程度。
通用存储产品同样在持续涨价。全球第二大存储模组企业——威刚的董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片将继续涨价。他明确表示，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%。当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。
多家机构也纷纷发布报告，预计存储芯片价格将继续上涨。TrendForce（集邦咨询）最新报告指出，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，预计合约价将季增13%—18%；NAND Flash方面，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，预计整体合约价将季增10%—15%，不过涨价幅度较前几季已明显缩减。此外，瑞银在7月发布的最新报告中，大幅上调了存储芯片价格预期：DRAM报价预计在第三季度上涨32%（此前预期为17%），第四季度再涨18%（此前预期为12%）；NAND Flash报价预计在第三季度上涨30%，第四季度再涨12%。
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