我国成功研制出三维多层片上电容,可直接应用于AI / GPU芯片等
作者:BrightSoul
时间:2026-06-12
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湖北江城实验室成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米1000纳法,可直接集成于AI/GPU芯片。该技术满足高算力低功耗需求,已开展工艺流片及小批量试产,下一步将规模化应用于先进封装领域。
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说几个关键点。半导体行业的各位,有个事儿值得关注——就在今天,上海证券报报道了一个消息:湖北江城实验室在电容技术上搞了个大动作。他们成功研制出三维多层片上电容,电容密度直接突破了每平方毫米1000纳法的大关。
这类电容可以直接集成到AI/GPU芯片或高性能处理器里,对于支撑高算力、低功耗的芯片研发来说,这才是关键所在。
这款片上电容的设计思路是直接做在芯片内部或紧邻的硅基板内。越靠近核心,就越能满足AI芯片纳秒级大电流瞬态响应的需求。换句话说,它天生就是为高性能计算准备的,目标客户自然也指向了国内的CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。
目前,这项技术已经在开展工艺流片及小批量试产,下一步就是要在先进封装领域实现规模化应用了。
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