台积电更新SoIC 3D堆叠技术路线图：2029年互连间距缩至4.5μm
台积电更新SoIC路线图：互连间距持续微缩，2029年瞄准4.5µm 最近，台积电在北美的一场技术研讨会上，更新了其SoIC 3D堆叠技术的路线图，为未来几年的技术演进划定了清晰的路径。其中最关键的一个目标，就是持续缩小芯片间的互连间距——计划从现有的6µm起步，一路推进，目标是在2029年达到4.
台积电更新SoIC路线图：互连间距持续微缩，2029年瞄准4.5µm
最近，台积电在北美的一场技术研讨会上，更新了其SoIC 3D堆叠技术的路线图，为未来几年的技术演进划定了清晰的路径。其中最关键的一个目标，就是持续缩小芯片间的互连间距——计划从现有的6µm起步，一路推进，目标是在2029年达到4.5µm。
这里先简单解释一下，SoIC的全称是System on Integrated Chips。这是台积电自主研发的一套3D IC封装技术，核心思路就是把多个芯片像搭积木一样垂直堆叠起来，从而实现更高性能、更高密度的系统集成。
那么，它比传统封装强在哪儿呢？关键在于“直接连接”。SoIC采用了混合键合技术，让芯片之间能够实现直接的电气互连。这带来的好处显而易见：信号传输的路径被大幅缩短，随之而来的就是功耗和延迟的显著降低。正因如此，这项技术尤其受高性能计算和AI芯片的青睐。
具体到技术实现路径，SoIC主要有两种堆叠方式：Face-to-Back（F2B，背对背）和Face-to-Face（F2F，面对面）。这两种方式的性能差异，可以说是一个天上一个地下。
F2B结构存在天然的物理限制。信号想要从上芯片传到下芯片，必须穿过底部的硅通孔（TSV）以及多层金属布线。这个过程不仅增加了延迟和功耗，更关键的是，它严重限制了互连的密度。有数据显示，采用F2B设计的信号密度大约只有1500个/mm²。
而F2F方案就完全是另一番景象了。它通过混合铜键合技术，直接将两块芯片的金属层面对面连接起来，完全绕开了TSV。这样一来，信号密度实现了数量级的飞跃，飙升至14000个/mm²。这意味着，芯片之间的通信性能几乎可以媲美芯片内部互连的水平，瓶颈被极大地打破。
话说回来，如果我们聚焦到最直观的互连间距指标，就能看到台积电清晰的推进节奏。早在2024年，台积电就已经实现了9µm的精细间距，这个水平已经足以支撑像AMD Instinct MI300系列这样的高端产品了。不过，当时的第一代SoIC还只支持F2B设计。
接下来的路线图非常明确：2025年，互连间距将缩小到6µm。而这还不是终点，按照台积电的预估，到2029年，这一关键尺寸将进一步微缩至4.5µm。持续的微缩，意味着更密的互连、更高的带宽和更强的整体性能，这无疑是面向未来算力需求的关键布局。
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