高通骁龙8至尊版Gen6实物图曝光:侧置DRAM与HPB散热结构解析
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消息源曝光高通第六代骁龙8超级至尊版(SM8975)实物图,显示其采用侧置DRAM与Heat Path Block散热模块,封装面积大于前代。该设计旨在解决传统PoP方案的热量集中问题,预计支持LPDDR5X内存,有助于CPU和GPU维持高频稳定运行。
高通第六代骁龙8超级至尊版(型号SM8975)实物图已曝光,其核心变化在于将DRAM从SoC顶部移至侧边,并引入类似三星Exynos 2600的Heat Path Block(HPB)散热技术。这种封装调整旨在降低内存与处理器间的热量累积,预计支持LPDDR5X内存,从而提升性能稳定性。
芯片实物图与封装细节
9月6日,消息源 @LaidBackDev_ 在X平台发布了高通第六代骁龙8超级至尊版(Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6,型号SM8975)的芯片实物图。从图片细节可见芯片表面印有“SM8975”和“101-BC”标识。

对比前代产品,第六代骁龙8至尊版的封装面积有所增加。这种面积扩大并非单纯用于扩展计算单元,而是主要源于新的散热结构设计。
技术原理:侧置DRAM与HPB散热模块
传统PoP(封装堆叠)方案通常将DRAM直接堆叠在SoC上方,虽然能节省主板空间,但会导致内存与处理器热量集中在同一区域。第六代骁龙8至尊版改变了这一布局:
- DRAM侧置:将DRAM从SoC顶部移至侧边,减少热量叠加。
- 引入散热片:配合侧置布局增加散热结构。
这种设计思路与三星在Exynos 2600芯片中采用的Heat Path Block(HPB)技术相似。HPB通过铜基散热块直接接触应用处理器(AP),利用铜的高导热性迅速将芯片热量传导至散热结构,从而降低芯片温度并提升性能稳定性。
规格推测与性能影响
科技媒体Wccftech分析认为,通过侧置DRAM单元并配合散热片,该芯片能有效降低内存与SoC之间的热量累积。这使得CPU和GPU能够在更长时间内保持较高运行频率,从而提升整体性能表现。
关于内存规格,基于芯片照片中的“101-BC”标识,推测该版本预计支持LPDDR5X内存,而非速度更高、能效更优的LPDDR6标准。










































