高通第六代骁龙8超级至尊版（型号SM8975）实物图已曝光，其核心变化在于将DRAM从SoC顶部移至侧边，并引入类似三星Exynos 2600的Heat Path Block（HPB）散热技术。这种封装调整旨在降低内存与处理器间的热量累积，预计支持LPDDR5X内存，从而提升性能稳定性。
芯片实物图与封装细节
9月6日，消息源 @LaidBackDev_ 在X平台发布了高通第六代骁龙8超级至尊版（Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6，型号SM8975）的芯片实物图。从图片细节可见芯片表面印有“SM8975”和“101-BC”标识。
对比前代产品，第六代骁龙8至尊版的封装面积有所增加。这种面积扩大并非单纯用于扩展计算单元，而是主要源于新的散热结构设计。
技术原理：侧置DRAM与HPB散热模块
传统PoP（封装堆叠）方案通常将DRAM直接堆叠在SoC上方，虽然能节省主板空间，但会导致内存与处理器热量集中在同一区域。第六代骁龙8至尊版改变了这一布局：
- DRAM侧置：将DRAM从SoC顶部移至侧边，减少热量叠加。
- 引入散热片：配合侧置布局增加散热结构。
这种设计思路与三星在Exynos 2600芯片中采用的Heat Path Block（HPB）技术相似。HPB通过铜基散热块直接接触应用处理器（AP），利用铜的高导热性迅速将芯片热量传导至散热结构，从而降低芯片温度并提升性能稳定性。
规格推测与性能影响
科技媒体Wccftech分析认为，通过侧置DRAM单元并配合散热片，该芯片能有效降低内存与SoC之间的热量累积。这使得CPU和GPU能够在更长时间内保持较高运行频率，从而提升整体性能表现。
关于内存规格，基于芯片照片中的“101-BC”标识，推测该版本预计支持LPDDR5X内存，而非速度更高、能效更优的LPDDR6标准。
