宏芯宇发布自研 UFS 2.2 主控芯片 HG2325,22nm 制程
作者:水悠悠予安
时间:2026-06-08
浏览:12
宏芯宇在COMPUTEX2026发布自研UFS2.2主控HG2325,采用22nm制程,集成大容量SRAM缓存与自研4KBLDPC纠错引擎,适配3DTLC/QLC闪存,接口速率1600MT/s,兼容高通、联发科等主流SoC,容量覆盖64GB至1TB,512GB版顺序读写达1060/975MB/s。该芯片性能卓越,能有效提升存储速度与可靠性,现场还展出PCIe
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在COMPUTEX 2026上,存储半导体模组企业宏芯宇(HOSINGLOBAL)带来了一款自研UFS 2.2嵌入式闪存主控芯片——HG2325。这款芯片的发布,意味着国产存储主控阵营又多了一位值得关注的选手。

HG2325采用的是22nm成熟制程,内部塞进了大容量SRAM缓存,并搭载了自研的4KB LDPC硬件纠错引擎。这套组合让它能够很好地适配主流的3D TLC和QLC NAND闪存,闪存接口速率也做到了1600MT/s——放在UFS 2.2这个定位上,性能表现相当扎实。
在兼容性方面,芯片覆盖了高通、联发科技、紫光展锐等主流SoC平台,容量规格从64GB一直到1TB,跨度够宽。重点看一下512GB版本:顺序读取速度可达1060MB/s,顺序写入975MB/s,这样的成绩对于UFS 2.2来说已经相当能打。
除了这款主控芯片,宏芯宇还在台北国际电脑展上摆出了一系列产品线,包括PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM,以及车规级的嵌入式闪存和固态硬盘。从消费级到车规级,布局意图很明显。
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